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CSD25310Q2數(shù)據(jù)手冊TI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

CSD25310Q2

功能描述

采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、23.9mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名稱

德州儀器 美國德州儀器公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-12 23:00:00

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CSD25310Q2規(guī)格書詳情

描述 Description

這款 19.9mΩ,20V P 通道器件被設(shè)計成在超薄且盡可能小的外形尺寸封裝內(nèi)以出色的熱特性提供盡可能低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。 其低導(dǎo)通電阻,與 SON 2mm x 2mm 塑料封裝內(nèi)的極小封裝尺寸組合在一起,使得此器件成為電池供電、空間受限運行的理想選擇。 頂視圖 要了解所有可用封裝,請見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。 RθJA = 43°C/W,這是在 0.060 英寸厚環(huán)氧樹脂 (FR4) 印刷電路板 (PCB) 上的 1in2 銅(2 盎司)過渡墊片上測得的典型值。脈沖持續(xù)時間 10μs,占空比 ≤ 2%

特性 Features

? 超低 Qg 和 Qgd
? 低導(dǎo)通電阻
? 低熱阻
? 無鉛
? 符合 RoHS 環(huán)保標準
? 無鹵素
? 小外形尺寸無引線 (SON) 2mm x 2mm 塑料封裝

應(yīng)用 Application

電池管理
負載管理
電池保護

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :CSD25310Q2

  • 生產(chǎn)廠家

    :TI

  • VGS (V)

    :-8

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :23.9

  • Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)

    :32.5

  • Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)

    :89

  • Id peak (Max) (A)

    :-48

  • Id max cont (A)

    :-9.6

  • QG typ (nC)

    :3.6

  • QGD typ (nC)

    :0.5

  • QGS typ (nC)

    :1.1

  • VGSTH typ (V)

    :-0.85

  • Package (mm)

    :SON 2x2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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