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CSD25211W1015數(shù)據(jù)手冊(cè)TI中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

CSD25211W1015

功能描述

采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、33mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名稱

德州儀器 美國德州儀器公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-12 18:38:00

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CSD25211W1015規(guī)格書詳情

描述 Description

此器件設(shè)計(jì)用于在超薄且具有出色散熱特性的超小外形尺寸封裝內(nèi)產(chǎn)生盡可能低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。頂視圖 RθJA = 119°C/W,這是在厚度為 0.06 英寸的環(huán)氧板 (FR4) 印刷電路板(PCB) 上的 1 英寸2 2 盎司 銅過渡片上測(cè)得的典型值。脈寬 ≤ 10μs,占空比 ≤ 2%

特性 Features

? 超低導(dǎo)通電阻
? 超低 Qg 和 Qgd
? 小尺寸封裝 1.0mm x 1.5mm
? 低高度(高度為 0.62mm)
? 無鉛
? 柵 - 源電壓鉗位
? 柵極靜電放電 (ESD) 保護(hù)-3kV
? 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
? 無鹵素

應(yīng)用 Application

電池管理
負(fù)載開關(guān)
電池保護(hù)

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :CSD25211W1015

  • 生產(chǎn)廠家

    :TI

  • VGS (V)

    :-6

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :33

  • Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)

    :44

  • Id peak (Max) (A)

    :-9.5

  • Id max cont (A)

    :-3.2

  • QG typ (nC)

    :3.4

  • QGD typ (nC)

    :0.2

  • QGS typ (nC)

    :1.1

  • VGSTH typ (V)

    :-0.8

  • Package (mm)

    :WLP 1.0x1.5

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
TI(德州儀器)
24+/25+
10000
原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu)
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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TI(德州儀器)
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正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
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TI(德州儀器)
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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