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CSD17556Q5B數(shù)據(jù)手冊TI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

CSD17556Q5B

功能描述

采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名稱

德州儀器 美國德州儀器公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-14 22:58:00

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CSD17556Q5B規(guī)格書詳情

描述 Description

此 30V、1.2mΩ、5mm × 6mm NexFET?功率 MOSFET 旨在最大限度地減小同步整流和其他功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的 損耗。

特性 Features

? 極低電阻
? 超低 Qg 和 Qgd
? 低熱阻
? 雪崩級
? 無鉛引腳鍍層
? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
? 無鹵素
? SON 5mm × 6mm 塑料封裝

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :CSD17556Q5B

  • 生產(chǎn)廠家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :1.8

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :1.4

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :400

  • QG typ (nC)

    :28.5

  • QGD typ (nC)

    :6.9

  • Package (mm)

    :SON5x6

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :1.4

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :215

  • ID - package limited (A)

    :100

  • Logic level

    :Yes

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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