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CSD17555Q5A數(shù)據(jù)手冊(cè)TI中文資料規(guī)格書

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

CSD17555Q5A

功能描述

采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.7mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名稱

德州儀器 美國(guó)德州儀器公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-14 19:12:00

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CSD17555Q5A規(guī)格書詳情

描述 Description

此 NexFET 功率 MOSFET 被設(shè)計(jì)用于在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中大大降低功率損失。

特性 Features

? 超低 Qg和 Qgd
? 低熱阻
? 雪崩級(jí)
? 無(wú)鉛端子鍍層
? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
? 無(wú)鹵素
? 小外形無(wú)引線 (SON) 5mm × 6mm 塑料封裝

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :CSD17555Q5A

  • 生產(chǎn)廠家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :3.4

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :2.7

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :153

  • QG typ (nC)

    :23

  • QGD typ (nC)

    :5

  • Package (mm)

    :SON5x6

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :1.5

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :116

  • ID - package limited (A)

    :100

  • Logic level

    :Yes

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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