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CSD17308Q3數(shù)據(jù)手冊TI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

CSD17308Q3

功能描述

采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、11.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名稱

德州儀器 美國德州儀器公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-14 13:00:00

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CSD17308Q3規(guī)格書詳情

描述 Description

此 30V、8.2mΩ、3.3mm × 3.3mm VSON NexFET?功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率轉(zhuǎn)換 應(yīng)用 中的損耗并針對 5V 柵極驅(qū)動器 應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

特性 Features

? 針對 5V 柵極驅(qū)動器進(jìn)行了優(yōu)化
? 超低 Qg 和 Qgd
? 低熱阻
? 雪崩級
? 無鉛端子鍍層
? 符合 RoHS
? 無鹵素
? VSON 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :CSD17308Q3

  • 生產(chǎn)廠家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :11.8

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :78

  • QG typ (nC)

    :3.9

  • QGD typ (nC)

    :0.8

  • Package (mm)

    :SON3x3

  • VGS (V)

    :10

  • VGSTH typ (V)

    :1.3

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :50

  • ID - package limited (A)

    :50

  • Logic level

    :Yes

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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