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CSD16556Q5B數(shù)據(jù)手冊TI中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

CSD16556Q5B

功能描述

采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.5mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名稱

德州儀器 美國德州儀器公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-14 20:18:00

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CSD16556Q5B規(guī)格書詳情

描述 Description

這款 25V、0.9mΩ、5mm × 6mm SON NexFET 功率 MOSFET 設(shè)計(jì)用于大大降低同步整流和其它功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。

特性 Features

? 超低電阻
? 超低 Qg和 Qgd
? 低熱阻
? 雪崩級(jí)
? 無鉛引腳鍍層
? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
? 無鹵素
? 小外形尺寸無引線 (SON) 5mm x 6mm 塑料封裝

應(yīng)用 Application

網(wǎng)絡(luò)互聯(lián)、電信和計(jì)算系統(tǒng)中的負(fù)載點(diǎn)同步降壓
已針對同步場效應(yīng)晶體管(FET)應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :CSD16556Q5B

  • 生產(chǎn)廠家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :1.5

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :1.07

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :400

  • QG typ (nC)

    :37

  • QGD typ (nC)

    :13

  • Package (mm)

    :SON5x6

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :1.4

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :263

  • ID - package limited (A)

    :100

  • Logic level

    :Yes

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