12kHz中頻振蕩器
如圖所示的12khz中頻振蕩器由12khz石英振蕩器、輸出電平調整、電平提升電路以及告警電路所組成。它采用新穎單管調諧變量器反饋式振蕩電路，在反饋回路中，串接了12khz石英晶體諧振器，從而使振蕩頻率取決于l2khz石英晶體諧振器的性能。在提高振蕩器可靠性及輸出幅度穩(wěn)定， 如圖所示的12khz中頻振蕩器由12khz石英振蕩器、輸出電平調整、電平提升
查看詳情2013-10-26 17:12:00
12kHz中頻信號發(fā)生器
如圖所示電路由l2khz中頻振蕩器，告警電路組成。它采用變量器反饋式振蕩電路，其振蕩頻率主要由石英晶體決定。cl、c2可以作微調頻率。振蕩管采用復合管以提高輸入阻抗，幅度的穩(wěn)定由vdl、vd2雙向穩(wěn)壓得到。技術指標：(1)標稱頻率：12khz、頻差不超過±1hz；(2， 如圖所示電路由l2khz中頻振蕩器，告警電路組成。它采用變量器反饋式振蕩電路
查看詳情2013-10-26 17:12:0012kHz信號發(fā)生器
如圖所示的12khz信號發(fā)生器由晶體振蕩器和告警電路兩部分組成。振蕩器輸出幅度穩(wěn)定，變化， 如圖所示的12khz信號發(fā)生器由晶體振蕩器和告警電路兩部分組成。振蕩器輸出幅度穩(wěn)定，變化
查看詳情2013-10-26 17:12:001024kHz與4kHz方波輸出電路
本電路sjt為1024khz溫補型晶體振蕩器。電路原理如圖所示。電路由于其輸出信號電平低，故后續(xù)三極管vtl作緩沖放大。vtl的基極偏置電阻r2、負載電阻r3、射極電阻r4為負反饋電阻，用以穩(wěn)定vtl的直流工作點。穩(wěn)壓二極管vdl、vd2，電容cl組成穩(wěn)壓、濾波電路，用， 本電路sjt為1024khz溫補型晶體振蕩器。電路原理如圖所示。電路由于其輸
查看詳情2013-10-26 17:12:004kHz諧波發(fā)生器
諧波發(fā)生器是微分式的，它由一個左右對稱的微分放大電路將相位相差半個周期的矩形脈沖，通過輸出變壓器推挽耦合，該諧波發(fā)生電路簡單，調測方便，成本低，又保留了其對稱脈沖的特點，其性能可以與磁飽和式相近。如圖所示為4khz諧波發(fā)生器電路。它產(chǎn)生的頻率受主振蕩的控制，奇、偶次諧波， 諧波發(fā)生器是微分式的，它由一個左右對稱的微分放大電路將相位相差半個周期的矩形
查看詳情2013-10-26 17:12:00高頻產(chǎn)生點燈器
如圖所示為高頻產(chǎn)生點燈器電路。它是以8v～14v的蓄電池作為能源，經(jīng)振蕩升壓后再點亮6w～12w的熒光燈。晶體三極管vt可采用3dd12a、d3d4d、3dd5c、3ddl5a等低頻大功率三極管，組裝時應為其安裝70mm×40mm×2mm的鋁板制散熱器；電位器rp最， 如圖所示為高頻產(chǎn)生點燈器電路。它是以8v～14v的蓄電池作為能源，經(jīng)振蕩
查看詳情2013-10-26 17:12:00穩(wěn)壓管高頻信號發(fā)生器
利用穩(wěn)壓管的齊納擊穿特性，可以得到頻率達數(shù)百兆赫的高頻信號，其電路如圖所示。從輸出端v01取出的信號是單一頻率信號，可以用來調準調諧回路中的諧振頻率。從輸出v02取出的信號是廣譜高頻信號，可以進行超外差式收音機中輸入諧振電路和本振調諧電路之間的統(tǒng)調。發(fā)生器的頻率范圍， 利用穩(wěn)壓管的齊納擊穿特性，可以得到頻率達數(shù)百兆赫的高頻信號，其電路如圖所
查看詳情2013-10-26 17:12:0056～484高頻振蕩器
如圖所示的高頻振蕩器，可作為高頻信專發(fā)生器，選擇不同的電容值能夠在56～484khz范圍內產(chǎn)生一個高頻正弦波。該電路具有剃出波形好、頻率穩(wěn)定度高，輸出阻抗低等特點。元器件選擇：三極管vtl、vt2：3dg6d,65≤β《115，vt3、vt4：3dgl308、60≤β≤， 如圖所示的高頻振蕩器，可作為高頻信專發(fā)生器，選擇不同的電容值能夠在56～48
查看詳情2013-10-26 17:12:0070MHz并聯(lián)晶體振蕩器
如圖為70mhz并聯(lián)型晶體振蕩電路。振蕩器主要是由三極管vtl、晶體sjt及電容cl、c5等元件組成。元器件選擇：電容cl為20p，c2為100p，c3、c7為820p，c4為56p，c5、c8為47p，c6為47μf／50v。電感l(wèi)l為22μh(色碼電感)，l2為， 如圖為70mhz并聯(lián)型晶體振蕩電路。振蕩器主要是由三極管vtl、晶體sj
查看詳情2013-10-26 17:12:0048MHz的HCMOS振蕩器
如圖所示為hcmos集成電路組成的48mhz晶體振蕩器。晶體的基波頻率為l6mhz，但振蕩器強制工作于三次諧波。諧波振蕩器的關鍵是抑制晶體的基頻，圖中的并聯(lián)諧振電路在晶體的基頻下諧振，它和晶體sjt串聯(lián)后，對基頻的阻抗最高，能有效的抑制基頻振蕩，保證三次諧波容易起振。， 如圖所示為hcmos集成電路組成的48mhz晶體振蕩器。晶體的基波頻率為l6
查看詳情2013-10-26 17:12:00300kHz信號發(fā)生器
如圖所示為300khz信號發(fā)生器。它由vt1、t1、vd4及相關元件組成壓控振蕩器。壓控振蕩器采用lc集電極調諧式，vtl為振蕩管，由變容二極管vd4、電容c3～c6和變量器t1的1～3繞組的電感組成調諧回路，變容二極管vd4反偏工作，來自控制電壓加于負端，以改變其， 如圖所示為300khz信號發(fā)生器。它由vt1、t1、vd4及相關元件組成
查看詳情2013-10-26 17:12:0056～512kHz高頻振蕩器
如圖所示為56～512khz高頻振蕩器電路。它由高頻振蕩器、告警電路所組成。1．技術指標：(1)頻率范圍：56～512khz；(2)輸出電平：+5．5±ldb；(3)頻率準確度：不超過±20hz；(4)告警信號：當停振時，告警燈亮，并發(fā)出告警聲。(5)工作溫度：0～+4， 如圖所示為56～512khz高頻振蕩器電路。它由高頻振蕩器、告警電路所組成。
查看詳情2013-10-26 17:12:001kHz正弦波振蕩器(741)
如圖所示為1khz正弦波振蕩電路。該電路是在雙t電路基礎上應用普通的741運算放大器產(chǎn)生1000hz正弦波輸出。調節(jié)100kω電位器使電路起振，而電路的振蕩頻率由r1和r2確定，且一般情況下，這兩個電阻都相等，其振蕩頻率與阻值成反比。通常電阻的阻值選擇在4.7～18ω之， 如圖所示為1khz正弦波振蕩電路。該電路是在雙t電路基礎上應用普通的741運
查看詳情2013-10-26 17:12:00一階有源相移振蕩器(F007)
如圖所示為一階有源相移振蕩電路。該電路中，a1和a2組成一階有源移相器，并與a3構成環(huán)路。a3為反相比例放大器，起主放大作用，其增益調節(jié)為-l，相移為π。d1、d2為穩(wěn)壓管2dw7c，起穩(wěn)幅作用。根據(jù)振蕩所需滿足的條件，一階有源移相器的傳輸系數(shù)|β|=1，總相移為π時電， 如圖所示為一階有源相移振蕩電路。該電路中，a1和a2組成一階有源移相器，并與
查看詳情2013-10-26 17:12:00F007構成的頻率可調、幅度不變的正弦波振蕩電路
如圖所示為頻率可調、幅度不變的正弦波振蕩電路。該電路由兩級移相電路和一級分線性反相放大器串接而成。移相電路采用集成運算放大器a1、a2和rc的組合。由于反相器a3的相移是180o，所以，兩級移相電路也應移相180o，以保證電路振蕩所要求的總相移360o的條件。二極管d1， 如圖所示為頻率可調、幅度不變的正弦波振蕩電路。該電路由兩級移相電路和一級分線
查看詳情2013-10-26 17:12:00LF356N構成的寬頻帶正弦波壓控振蕩器
如圖所示為寬頻帶正弦波壓控振蕩電路。該電路振蕩頻率由積分電阻r和電容c決定，用外加電壓vc控制電阻r而構成壓控振蕩器。電路中的可變電阻采用光耦合器pc1和pc2，整流電路采用平均值檢波方式。電路的實際工作頻率在幾十赫茲以上。此外，控制電壓vc相對于電路振蕩頻率的特性取決， 如圖所示為寬頻帶正弦波壓控振蕩電路。該電路振蕩頻率由積分電阻r和電容c決定，
查看詳情2013-10-26 17:12:00MC1046B構成的壓控正弦波振蕩器
如圖所示為壓控正弦波振蕩電路。該電路由mc1046b構成。當控制輸入電壓為0～5v時，輸出可獲得頻率為0～20khz的正弦信號。頻率范圍由電阻r1和電容c決定，改變電阻和電容可改變振蕩頻率。若在12腳外接電阻r2，可移動振蕩頻率范圍。如果選擇r2=2r1，則振蕩頻率變?yōu)椋? 如圖所示為壓控正弦波振蕩電路。該電路由mc1046b構成。當控制輸入電壓為0
查看詳情2013-10-26 17:12:00反相器構成的正弦波發(fā)生器
如圖所示為反相器構成的正弦波發(fā)生電路。該電路可獲得幾兆赫以上高穩(wěn)定性的正弦波。圖中a1和晶振組成振蕩電路，a1的輸出再經(jīng)緩沖器a2后輸出正弦波信號。電路中，a1為線性放大器，整個電路工作于放大狀態(tài)。由于采用的晶振特性不同．電路輸出頻率和電壓有所不同，而r2可用來進行波形， 如圖所示為反相器構成的正弦波發(fā)生電路。該電路可獲得幾兆赫以上高穩(wěn)定性的正弦波
查看詳情2013-10-26 17:12:00F007構成的穩(wěn)定的正弦波振蕩器
如圖所示為穩(wěn)定的正弦波振蕩電路。為了得到穩(wěn)定的振蕩，要求回路增益為1。如果增益太大，則波形出現(xiàn)失真；如果增益過小，則又會出現(xiàn)停振。本電路采用兩個二極管來穩(wěn)定振蕩。當輸出電壓太低時，二極管截止，負反饋被切斷，回路增益提高，輸出電壓提高。當輸出達到一定數(shù)值時，二極管導通，回， 如圖所示為穩(wěn)定的正弦波振蕩電路。為了得到穩(wěn)定的振蕩，要求回路增益為1。如果增
查看詳情2013-10-26 17:11:00LM170構成的輸出穩(wěn)定的雙T正弦波振蕩器
如圖所示為輸出穩(wěn)定的雙t正弦波振蕩電路。該電路是采用自動增益控制放大器lm170來穩(wěn)定其振幅的。采用這種方法能保證波形不失真。即使雙t回路和放大器增益發(fā)生變化，也能保證輸出幅度恒定。采用圖示元件值可補償40db的變化。100k電位器是用來改變自動增益控制的閾值電平，從而， 如圖所示為輸出穩(wěn)定的雙t正弦波振蕩電路。該電路是采用自動增益控制放大器lm1
查看詳情2013-10-26 17:11:00LM741CN構成的RC正弦波振蕩器
如圖所示為rc正弦波振蕩電路。電路元件值按下式選擇：來源:university ， 如圖所示為rc正弦波振蕩電路。電路元件值按下式選擇：來源:un
查看詳情2013-10-26 17:11:00μA741構成簡單的正弦波發(fā)生器
如圖所示為簡單的正弦波發(fā)生電路。該電路可以產(chǎn)生失真度小的正弦波，其振蕩頻率為：。根據(jù)本圖所給數(shù)據(jù)，振蕩頻率大約為25hz。改變電感l(wèi)和電容c的數(shù)值可使振蕩頻率從15hz變到100khz，總的諧波失真可以低于0.5％，而上限頻率受到運算放大器的限制。電位器r1可調節(jié)加至串， 如圖所示為簡單的正弦波發(fā)生電路。該電路可以產(chǎn)生失真度小的正弦波，其振蕩頻率為
查看詳情2013-10-26 17:11:00單結晶體管正弦波振蕩器
單結晶體管經(jīng)常用于鋸齒波發(fā)生器和脈沖發(fā)生器中，但用它也可以構成簡單的正弦波產(chǎn)生電路。作為分立元件的振蕩電路，它使用的元器件可謂最少。電路如圖所示。與普通單結管馳張振蕩電路相比，此電路在第二基極上增加了一個lc調諧電路，調諧電路依賴單結管電流脈沖的激勵而產(chǎn)生正弦振蕩。調節(jié)， 單結晶體管經(jīng)常用于鋸齒波發(fā)生器和脈沖發(fā)生器中，但用它也可以構成簡單的正弦波產(chǎn)
查看詳情2013-10-26 17:11:00高性能正交正弦波型振蕩器
很多rc振蕩器，在移相單元用的是超前電路，使用了電壓反饋放大器，電壓反饋放大器在較高頻率下增益會急劇下降，在未達到設計頻率時常常會停振，這是電壓反饋放大器相位特性差的原因所在。用含有四個電流反饋放大器的高頻集成電路ha5025制作rc振蕩器能產(chǎn)生四個正交正弦波，如圖所， 很多rc振蕩器，在移相單元用的是超前電路，使用了電壓反饋放大器，電壓反饋放
查看詳情2013-10-26 17:11:00
Copyright ? 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粵ICP備05011613號 粵公網(wǎng)安備 44030402000933號