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CEZ6R26LA中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CEZ6R26LA
廠商型號

CEZ6R26LA

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

1.18113 Mbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

CET-MOS

中文名稱

華瑞

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-8 10:07:00

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CEZ6R26LA規(guī)格書詳情

FEATURES

60V, 102A, RDS(ON) = 3.2 m W @VGS = 10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

Surface mount Package.

RoHS compliant.

RDS(ON) = 4.6 mW @VGS = 4.5V.

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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