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CEZ3R19中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CEZ3R19
廠商型號

CEZ3R19

功能描述

Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)

文件大小

1.03204 Mbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

CET-MOS

中文名稱

華瑞

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-8 10:07:00

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CEZ3R19規(guī)格書詳情

FEATURES

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

30V, 40A, RDS(ON) = 11mW @VGS = 10V.

-30V, -33A, RDS(ON) = 17mW @VGS = -10V.

Surface mount Package.

RoHS compliant.

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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