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CED50N06G

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 60V,40A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CED50N06G

N Channel MOSFET;

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEP50N06

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■60V,50A,RDS(ON)=17mΩ(typ)@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEP50N06

50A,60VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET

GeneralDescription ThisN-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorusingTHINKISemiconductoradvancedplanarstripe,DMOStechnologyintendedforoff-lineswitchmodepowersupply.Also,especiallydesignedtominimizerds(on)andhighruggedavalanchecharacteristics.TheTO-220M

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導體思祁半導體有限公司

CEP50N06

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

CEP50N06

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 60V,50A,RDS(ON)=22mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEP50N06G

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 60V,55A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEU50N06

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■60V,36A,RDS(ON)=18m?(typ)@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEU50N06

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

CEU50N06

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

技術參數

  • BVDSS(V)：

    60

  • Rds(on)mΩ@10V：

    20

  • ID(A)：

    40

  • Qg(nC)@10V(typ)：

    41

  • RθJC(℃/W)：

    2.2

  • Pd(W)：

    68

  • Configuration：

    Single

  • Polarity：

    N

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VBSEMI/臺灣微碧
23+
TO-251
50000
全新原裝正品現貨,支持訂貨
 詢價
VBSEMI/臺灣微碧
24+
TO-251
60000
全新原裝現貨
 詢價
CET
TO-251
22+
6000
十年配單,只做原裝
 詢價
CET/華瑞
23+
TO-251
56449
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
 詢價
CET
23+
TO-251
6000
原裝正品，支持實單
 詢價
CET/華瑞
24+
NA/
27334
原裝現貨,當天可交貨,原型號開票
 詢價
CET
22+
TO-251
25000
只做原裝進口現貨,專注配單
 詢價
CET
25+
TO-251
53410
原裝正品,假一罰十!
 詢價
PHI
24+
SSOP24L
9918
公司現貨庫存,支持實單
 詢價
SR
23+
TO-251
7000
原裝正品,假一罰十
 詢價
更多CED50N06G供應商 更新時間2025-7-28 11:00:00

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