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CEP50N06

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■60V,50A,RDS(ON)=17mΩ(typ)@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEP50N06

50A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET

GeneralDescription ThisN-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorusingTHINKISemiconductoradvancedplanarstripe,DMOStechnologyintendedforoff-lineswitchmodepowersupply.Also,especiallydesignedtominimizerds(on)andhighruggedavalanchecharacteristics.TheTO-220M

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司

CEP50N06

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 60V,50A,RDS(ON)=22mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEP50N06

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

CEP50N06

50A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET;

ThinkiSemiThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司

CEP50N06

N Channel MOSFET;

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEP50N06G

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 60V,55A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEP50N06G

N Channel MOSFET;

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • BVDSS(V)：

    60

  • Rds(on)mΩ@10V：

    22

  • ID(A)：

    50

  • Qg(nC)@10V(typ)：

    26

  • RθJC(℃/W)：

    1.14

  • Pd(W)：

    131

  • Configuration：

    Single

  • Polarity：

    N

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
CET/華瑞
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更多CEP50N06供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 19:58:00

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