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MTB50P03HDLG	文件：96.15 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET50Amps,30Volts,LogicLevelP??hannelD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTP50P03HDL	文件：294.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP50P03HDL	文件：131.72 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL50AMPERES30VOLTSRDS(on)=0.025OHM HDTMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecover	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP50P03HDL	文件：91.41 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET50Amps,30Volts,LogicLevelP-ChannelTO-220	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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NP50P03YDG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP50P03YDG	文件：238.04 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP50P03YDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=8.4mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?25A) ?LowCiss:Ciss=2300pFTYP.(VDS=?25V,VGS=0V) ?Designedforautomotiveapp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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SPD50P03LG	文件：391.1 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS?-PPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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詳細(xì)參數(shù)

型號：
CEB50P03
制造商：
CET
制造商全稱：
Chino-Excel Technology
功能描述：
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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