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BVSS84LT1G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3新冠美科技

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  • 廠家型號:

    BVSS84LT1G

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    ON

  • 庫存數(shù)量:

    1812

  • 產(chǎn)品封裝:

    SOT23-3

  • 生產(chǎn)批號:

    23+

  • 庫存類型:

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時間:

    2025-6-30 13:24:00

  • 詳細信息
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原廠料號:BVSS84LT1G品牌:ON

原裝現(xiàn)貨

  • 芯片型號:

    BVSS84LT1G

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    4 頁

  • 文件大小:

    105.8 kb

  • 資料說明:

    Power MOSFET Single P-Channel SOT-23 -50 V, 10 

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號:

    BVSS84LT1G

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市新冠美科技有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪留言

  • 聯(lián)系人:

    柯小姐

  • 手機:

    15019448880

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    深圳市福田區(qū)華強北街道福強社區(qū)華發(fā)北路5號龍勝手機市場1層1號AB座1B111