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BULD1101ET4中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BULD1101ET4
廠商型號

BULD1101ET4

功能描述

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

文件大小

229.58 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導體

網址

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數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-20 23:01:00

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BULD1101ET4規(guī)格書詳情

描述 Description

The device is manufactured using high voltage Multi-Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage capability.

Thanks to an increased intermediate layer, it has an intrinsic ruggedness which enables the transistor to withstand an high collector current level during breakdown condition, without using the transil protection usually necessary in typical converters for lamp ballast.

General features

■ High voltage capability

■ Low spread of dynamic parameters

■ Minimum lot-to-lot spread for reliable operation

■ Very high switching speed

■ In compliance with the 2002/93/EC European Directive

Applications

■ Electronic ballast for fluorescent lighting

產品屬性

  • 型號:

    BULD1101ET4

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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