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BULB128-1分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BULB128-1
廠商型號

BULB128-1

參數(shù)屬性

BULB128-1 封裝/外殼為TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 400V 4A TO262

功能描述

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
TRANS NPN 400V 4A TO262

封裝外殼

TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

文件大小

216.04 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
STMICROELECTRONICS
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-2 14:46:00

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BULB128-1規(guī)格書詳情

BULB128-1屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的BULB128-1晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。

DESCRIPTION

The device is manufactured using high voltage Multi-Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability.

It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA.

The device is designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies.

■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE

■ NPN TRANSISTOR

■ HIGH VOLTAGE CAPABILITY

■ LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS

■ MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION

■ VERY HIGH SWITCHING SPEED

■ THROUGH HOLE I2PAK (TO-262) POWER PACKAGE IN TUBE (SUFFIX -1)

APPLICATIONS:

■ ELECTRONIC BALLASTS FOR FLUORESCENT LIGHTING

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BULB128-1

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 1A,4A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    250μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    14 @ 2A,5V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

  • 供應商器件封裝:

    TO-262

  • 描述:

    TRANS NPN 400V 4A TO262

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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