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BUK652R3-40C中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BUK652R3-40C
廠商型號

BUK652R3-40C

功能描述

N-channel TrenchMOS intermediate level FET

文件大小

501.17 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導體(中國)有限公司

網(wǎng)址

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數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-24 23:48:00

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BUK652R3-40C規(guī)格書詳情

1.1 General description

Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET)

in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been

designed and qualified to the appropriate AEC Q101 standard for use in high performance

automotive applications.

1.2 Features and benefits

AEC Q101 compliant

Suitable for intermediate level gate

drive sources

Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

1.3 Applications

12 V Automotive systems

Electric and electro-hydraulic power

steering

Motors, lamps and solenoid control

Start-Stop micro-hybrid applications

Transmission control

Ultra high performance power

switching

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    BUK652R3-40C

  • 功能描述:

    MOSFET N-CHAN 40V 120A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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