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BUK652R1-30C中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BUK652R1-30C
廠商型號

BUK652R1-30C

功能描述

N-channel TrenchMOS intermediate level FET

文件大小

512.63 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導體(中國)有限公司

網(wǎng)址

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數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-7 9:11:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    BUK652R1-30C

  • 功能描述:

    MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS INTERMEDIATE LVL FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
恩XP
22+
TO-220AB
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
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原包裝原封 □□
213000
原裝進口特價供應 特價,原裝元器件供應,支持開發(fā)樣品 更多詳細咨詢 庫存
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2025+
TO-220-3
3577
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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