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BTD1805I3中文資料全宇昕科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

BTD1805I3
廠商型號(hào)

BTD1805I3

功能描述

Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

文件大小

164.26 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

CYSTEKEC

中文名稱

全宇昕科技

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-6 17:10:00

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BTD1805I3規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

The device is manufactured in NPN planar technology by using a “Base Island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.

特性 Features

? Very low collector-to-emitter saturation voltage

? Fast switching speed

? High current gain characteristic

? Large current capability

Applications

? CCFL drivers

? Voltage regulators

? Relay drivers

? High efficiency low voltage switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    BTD1805I3

  • 制造商:

    CYSTEKEC

  • 制造商全稱:

    Cystech Electonics Corp.

  • 功能描述:

    Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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