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BTD1805F3中文資料全宇昕科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BTD1805F3
廠商型號

BTD1805F3

功能描述

Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

文件大小

263.56 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Cystech Electonics Corp.
企業(yè)簡稱

CYSTEKEC全宇昕科技

中文名稱

全宇昕科技股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-8-6 15:02:00

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BTD1805F3規(guī)格書詳情

描述 Description

The device is manufactured in NPN planar technology by using a “Base Island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.

特性 Features

? Very low collector-to-emitter saturation voltage

? Fast switching speed

? High current gain characteristic

? Large current capability

? RoHS compliant package

Applications

? CCFL drivers

? Voltage regulators

? Relay drivers

? High efficiency low voltage switching applications

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
CYSTECH/全宇昕
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