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BSP60分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

BSP60
廠商型號(hào)

BSP60

參數(shù)屬性

BSP60 封裝/外殼為TO-261-4,TO-261AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223-4

功能描述

PNP Silicon Darlington Transistors
TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223-4

封裝外殼

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

78.05 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

Infineon

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-9-3 17:50:00

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BSP60規(guī)格書(shū)詳情

BSP60屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BSP60晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開(kāi)關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

PNP Silicon Darlington Transistor

? High collector current

? Low collector-emitter saturation voltage

? Complementary types: BSP50...BSP52 (NPN)

? Pb-free (RoHS compliant) package1)

? Qualified according AEC Q101

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BSP60E6327HTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.8V @ 1mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    2000 @ 500mA,10V

  • 頻率 - 躍遷:

    200MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-SOT223-4

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223-4

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NA
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