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BSP52T1G分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BSP52T1G
廠商型號

BSP52T1G

參數(shù)屬性

BSP52T1G 封裝/外殼為TO-261-4,TO-261AA;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223

功能描述

NPN Small??ignal Darlington Transistor
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223

封裝外殼

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

47.34 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-31 23:00:00

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BSP52T1G規(guī)格書詳情

BSP52T1G屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的BSP52T1G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BSP52T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    剪切帶(CT)帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.3V @ 500μA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    2000 @ 500mA,10V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-223(TO-261)

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
24+
SOT223
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原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道??珊灡9┖贤?/div>
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