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BSM50GD120DN2G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - IGBT - 模塊 INFINEON/英飛凌

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原廠(chǎng)料號(hào)：BSM50GD120DN2G品牌：Infineon

原廠(chǎng)授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保

BSM50GD120DN2G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商Infineon/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝NA/模塊的BSM50GD120DN2G晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開(kāi)關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對(duì)稱(chēng)式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

  • 芯片型號(hào)：

    BSM50GD120DN2G

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    SIEMENS【西門(mén)子】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    Siemens Semiconductor Group

  • 中文名稱(chēng)：

    德國(guó)西門(mén)子股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    182.91 kb

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BSM50GD120DN2G

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    托盤(pán)托盤(pán)

  • 配置：

    全橋

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.7V @ 15V，50A

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    無(wú)

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    模塊

  • 描述：

    IGBT MOD 1200V 78A 400W

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    浙江永芯科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    林小姐

  • 手機(jī)：

    18758020211

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    18758020211

  • 地址：

    中國(guó)廣東深圳市深圳市福田區(qū)中航路佳和大廈5C015

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