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BSM200GB120DL分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

BSM200GB120DL
廠商型號

BSM200GB120DL

參數(shù)屬性

BSM200GB120DL 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MOD 1200V 420A 1550W

功能描述

IGBT Power Module (Low Loss IGBT Low inductance halfbridge Including fast free- wheeling diodes)

封裝外殼

模塊

文件大小

128.3 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

SIEMENS

中文名稱

西門子

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-9-3 13:42:00

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BSM200GB120DL規(guī)格書詳情

? Low Loss IGBT

? Low inductance halfbridge

? Including fast free- wheeling diodes

? Package with insulated metal base plate

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BSM200GB120DLCHOSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤

  • 配置:

    半橋

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,200A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    模塊

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 420A 1550W

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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