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BSM200GA120DN2S中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
BSM200GA120DN2S |
| 功能描述 | HighSpeed 2-Technology |
| 文件大小 |
201.5 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
INFINEON【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-2 22:50:00 |
| 人工找貨 | BSM200GA120DN2S價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
BSM200GA120DN2S規(guī)格書(shū)詳情
? Designed for:
- TV – Horizontal Line Deflection
? 2nd generation HighSpeed-Technology
for 1200V applications offers:
- loss reduction in resonant circuits
- temperature stable behavior
- parallel switching capability
- tight parameter distribution
- Eoff optimized for IC =3A
- simple Gate-Control
? Qualified according to JEDEC1 for target applications
? Pb-free lead plating; RoHS compliant
? Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
BSM200GA120DN2S
- 功能描述：
IGBT 晶體管 1200V 200A SINGLE
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
650 V
- 集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
- 柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流：
150 A
- 柵極—射極漏泄電流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封裝/箱體：
TO-247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+ |
200A,1200V |
20000 |
全新原裝假一賠十 |
詢價(jià) | ||
EUPEC |
23+ |
模塊 |
3562 |
詢價(jià) | |||
EUPEC |
23+ |
模塊 |
26 |
詢價(jià) | |||
INFINEON/英飛凌 |
18+ |
MODULE |
1290 |
主打模塊,大量現(xiàn)貨供應(yīng)商QQ2355605126 |
詢價(jià) | ||
EUPEC |
25+ |
200A/1200V/I |
50 |
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
23+ |
Tray |
500 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
MODULE |
1000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
MODULE |
10000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
MODULE |
7300 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
MODULE |
7300 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
