BFR31LT1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
BFR31LT1G |
| 參數(shù)屬性 | BFR31LT1G 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET；產(chǎn)品描述：JFET N-CH 225MW SOT23 |
| 功能描述 | JFET Amplifiers(N-Channel) |
| 封裝外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
59.4 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-7-23 23:00:00 |
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BFR31LT1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的BFR31LT1G晶體管 - JFET結(jié)柵場效應(yīng)晶體管 (JFET) 是用作電子控制開關(guān)、放大器或電壓控制電阻器的器件。在柵極端子與源極端子之間施加適當(dāng)極性的電勢差就會增加電流流動的阻力，這意味著源極端子與漏極端子之間通道中流動的電流會更少。由于電荷流過源極與漏極端子之間的半導(dǎo)體通道，因此 JFET 不需要偏置電流。
JFET Amplifiers
N?Channel
Features
? Pb?Free Package is Available
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
BFR31LT1G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - JFET
- 包裝：
散裝
- FET 類型：
N 通道
- 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：
5pF @ 10V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
JFET N-CH 225MW SOT23
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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