BFR30LT1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠(chǎng)商型號(hào) |
BFR30LT1 |
| 參數(shù)屬性 | BFR30LT1 封裝/外殼為T(mén)O-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為散裝；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET；產(chǎn)品描述：JFET N-CH 225MW SOT23 |
| 功能描述 | JFET Amplifiers(N-Channel) |
| 封裝外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
59.4 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠(chǎng)商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱(chēng) | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠(chǎng)標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-7-30 17:00:00 |
| 人工找貨 | BFR30LT1價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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BFR30LT1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的BFR30LT1晶體管 - JFET結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (JFET) 是用作電子控制開(kāi)關(guān)、放大器或電壓控制電阻器的器件。在柵極端子與源極端子之間施加適當(dāng)極性的電勢(shì)差就會(huì)增加電流流動(dòng)的阻力，這意味著源極端子與漏極端子之間通道中流動(dòng)的電流會(huì)更少。由于電荷流過(guò)源極與漏極端子之間的半導(dǎo)體通道，因此 JFET 不需要偏置電流。
JFET Amplifiers
N?Channel
Features
? Pb?Free Package is Available
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
BFR30LT1
- 制造商：
onsemi
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - JFET
- 包裝：
散裝
- FET 類(lèi)型：
N 通道
- 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：
5pF @ 10V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
JFET N-CH 225MW SOT23
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SOT-23 |
23+ |
NA |
15659 |
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詢(xún)價(jià) | ||
PHI |
22+ |
SOT23 |
8000 |
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詢(xún)價(jià) | ||
恩XP |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
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詢(xún)價(jià) | ||
ON |
24+ |
SOT233SNGL |
6000 |
詢(xún)價(jià) | |||
PHI |
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SOT-23 |
10000 |
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詢(xún)價(jià) |
