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BFP840FESD分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFP840FESD
廠商型號

BFP840FESD

參數(shù)屬性

BFP840FESD 封裝/外殼為4-SMD,扁平引線;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產品描述:RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP

功能描述

Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor
RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP

封裝外殼

4-SMD,扁平引線

文件大小

1.48023 Mbytes

頁面數(shù)量

28

生產廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-8 20:00:00

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BFP840FESD規(guī)格書詳情

BFP840FESD屬于分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產的BFP840FESD晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    BFP840FESDH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    2.6V

  • 頻率 - 躍遷:

    85GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    0.75dB @ 5.5GHz

  • 增益:

    35dB

  • 功率 - 最大值:

    75mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 10mA,1.8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    4-SMD,扁平引線

  • 供應商器件封裝:

    PG-TSFP-4-1

  • 描述:

    RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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