BFP840ESD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
BFP840ESD |
| 參數(shù)屬性 | BFP840ESD 封裝/外殼為SC-82A，SOT-343；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 2.25V 80GHZ SOT343 |
| 功能描述 | Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor |
| 封裝外殼 | SC-82A，SOT-343 |
| 文件大小 |
1.41685 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
28 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | INFINEON |
| 中文名稱 | 英飛凌 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-8 20:00:00 |
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BFP840ESD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BFP840ESD晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
BFP840ESDH6327XTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
2.25V
- 頻率 - 躍遷：
80GHz
- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：
0.85dB @ 5.5GHz
- 增益：
18.5dB
- 功率 - 最大值：
75mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 10mA，1.8V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
35mA
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
SC-82A，SOT-343
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-SOT343-4-2
- 描述：
RF TRANS NPN 2.25V 80GHZ SOT343
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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23+ |
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Infineon(英飛凌) |
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