BF998WR中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
BF998WR |
| 功能描述 | N-channel dual-gate MOS-FET |
| 文件大小 |
94.6 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Philips Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
PHI【飛利浦】 |
| 中文名稱 | 荷蘭皇家飛利浦 |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-7-31 15:38:00 |
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BF998WR規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Depletion type field-effect transistor in a plastic microminiature SOT343R package with source and substrate interconnected. The transistor is protected against excessive input voltage surges by integrated back-to-back diodes between gates and source.
FEATURES
? High forward transfer admittance
? Short channel transistor with high forward transfer admittance to input capacitance ratio
? Low noise gain controlled amplifier up to 1 GHz.
APPLICATIONS
? VHF and UHF applications with 12 V supply voltage, such as television tuners and professional communications equipment.
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
24+ |
SOT343 |
36200 |
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詢價(jià) | ||
SOT-343 |
23+ |
NA |
15659 |
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VISHAY |
23+ |
SOT-343 |
63000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
2023+ |
SOT-343 |
5800 |
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24+ |
SOT-343 |
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NA |
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恩XP |
2022+ |
CMPAK-4 |
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PHI |
2447 |
SOT-343 |
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PHI |
23+ |
SOT343 |
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詢價(jià) |
