BF998R分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
BF998R |
| 參數(shù)屬性 | BF998R 封裝/外殼為SOT-143R；包裝為帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-143 |
| 功能描述 | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
| 絲印標(biāo)識 | |
| 封裝外殼 | SOT-143R |
| 文件大小 |
249.05 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | INFINEON |
| 中文名稱 | 英飛凌 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-24 15:01:00 |
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BF998R規(guī)格書詳情
BF998R屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BF998R晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
Silicon N_Channel MOSFET Tetrode
? Short-channel transistor with high S / C quality factor
? For low-noise, gain-controlled input stage up to 1 GHz
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
BF998RE6327HTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
帶
- 晶體管類型：
N 通道
- 頻率：
45MHz
- 增益：
28dB
- 額定電流（安培）：
30mA
- 噪聲系數(shù)：
2.8dB
- 封裝/外殼：
SOT-143R
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-SOT-143R-3D
- 描述：
MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-143
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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