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BDT60A中文資料新澤西半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BDT60A
廠商型號

BDT60A

功能描述

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

文件大小

212.33 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名稱

新澤西半導體 新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-10 20:44:00

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BDT60A規(guī)格書詳情

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

? Designed for Complementary Use with BDT60, BDT60A, BDT60B and BDT60C

? 50 W at 25 °C Case Temperature

? 4 A Continuous Collector Current

? Minimum hFE of 750 at 1.5 V, 3 A

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    BDT60A

  • 功能描述:

    達林頓晶體管 50W 4A PNP

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 配置:

    Octal

  • 晶體管極性:

    NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    50 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    集電極—基極電壓

  • 最大直流電集電極電流:

    0.5 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    SOIC-18

  • 封裝:

    Reel

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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