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BD676A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BD676A
廠商型號

BD676A

參數(shù)屬性

BD676A 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP DARL 45V 4A TO126

功能描述

Silicon PNP Darlington Power Transistor

封裝外殼

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

124.36 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-9-7 10:07:00

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BD676A規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? Collector-Emitter Breakdown Voltage— : V(BR)CEo = -45 V

? DC Current Gain— : hFE = 750(Min)@lc=-2A

? Complement to Type BD675A

APPLICATIONS

? Designed for use as output devices in complementary general-purpose amplifier applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BD676A

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    2.8V @ 40mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 2A,3V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 45V 4A TO126

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON
16+
原廠封裝
10000
全新原裝正品,代理優(yōu)勢渠道供應(yīng),歡迎來電咨詢
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只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來電查詢15919825718
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