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BD676分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BD676
廠商型號

BD676

參數(shù)屬性

BD676 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP DARL 45V 4A TO126

功能描述

NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS

封裝外殼

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

134.84 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

SIEMENS

中文名稱

西門子

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-6 23:01:00

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BD676規(guī)格書詳情

PNP Silicon Darlington Transistors

Epibase power darlington transistors (40W)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BD676

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    2.5V @ 30mA,1.5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 1.5A,3V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 45V 4A TO126

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