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BD439分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BD439
廠商型號

BD439

參數屬性

BD439 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS NPN 60V 4A TO126

功能描述

Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
TRANS NPN 60V 4A TO126

封裝外殼

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

63.98 Kbytes

頁面數量

4

生產廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導體

網址

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數據手冊

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更新時間

2025-8-29 20:00:00

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BD439規(guī)格書詳情

BD439屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產的BD439晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。

Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor

This series of plastic, medium?power silicon NPN transistors can be used for amplifier and switching applications. Complementary types are BD438 and BD442.

特性 Features

? Pb?Free Packages are Available*

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    BD439

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    800mV @ 300mA,3A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 500mA,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    3MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 4A TO126

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
22+
TO126
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢價
PHI
24+
NA/
316
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價
恩XP
25+
TO-126
5000
原裝正品,假一罰十!
詢價
CJ/長電
20+
TO-126
600
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
FSC/ON
23+
原包裝原封 □□
2550
原裝進口特價供應 特價,原裝元器件供應,支持開發(fā)樣品 更多詳細咨詢 庫存
詢價
三年內
1983
只做原裝正品
詢價
PHI
1738+
TO-126
8529
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!
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ST
24+
TO-126
5000
只做原裝正品現貨 歡迎來電查詢15919825718
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恩XP
23+
TO-126
50085322
原廠授權代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道。可提供大量庫存,詳
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ON(安森美)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經驗原裝進口正品做服務做口碑有支持
詢價