BD438G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
BD438G |
參數(shù)屬性 | BD438G 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 45V 4A TO-225AA |
功能描述 | Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor |
封裝外殼 | TO-225AA,TO-126-3 |
文件大小 |
84.89 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ONSEMI |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-8-29 13:31:00 |
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BD438G規(guī)格書詳情
BD438G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的BD438G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
4.0 AMP POWER TRANSISTORS PNP SILICON
This series of plastic, medium?power silicon PNP transistors can be used for for amplifier and switching applications. Complementary types are BD437 and BD441.
特性 Features
? Pb?Free Packages are Available*
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
BD438G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
700mV @ 300mA,3A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100μA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
85 @ 500mA,1V
- 頻率 - 躍遷:
3MHz
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-225AA,TO-126-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-126
- 描述:
TRANS PNP 45V 4A TO-225AA
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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