BC859B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
BC859B |
參數(shù)屬性 | BC859B 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 |
功能描述 | General Purpose Transistor PNP Silicon |
封裝外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
95.23 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | WEITRON |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-9-3 18:48:00 |
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General Purpose Transistor
PNP Silicon
P/b Lead(Pb)-Free
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
BC859BLT1
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
650mV @ 5mA,100mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
15nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
220 @ 2mA,5V
- 頻率 - 躍遷:
100MHz
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-23-3(TO-236)
- 描述:
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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