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BC859AW中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

BC859AW
廠商型號(hào)

BC859AW

功能描述

PNP Silicon AF Transistors

文件大小

229.98 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-2 23:01:00

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BC859AW規(guī)格書詳情

? For AF input stages and driver applications

? High current gain

? Low collector-emitter saturation voltage

? Low noise between 30 Hz and 15 kHz

? Complementary types: BC846W, BC847W, BC848W, BC849W, BC850W (NPN)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    BC859AW

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT Transistor 200mW

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
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