訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>BC858CDW1T1G>芯片詳情
BC858CDW1T1G_ONSEMI/安森美半導體_兩極晶體管 - BJT 100mA 30V Dual PNP科芯源微電子
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號
:BC858CDW1T1G
- 電流 - 集電極(Ic)(最大值)
:100mA
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值)
:30V
- 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值)
:650mV @ 5mA,100mA
- 電流 - 集電極截止(最大值)
:15nA(ICBO)
- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
:420 @ 2mA,5V
- 功率 - 最大值
:380mW
- 頻率 - 躍遷
:100MHz
- 工作溫度
:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型
:表面貼裝
- 封裝/外殼
:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應(yīng)商器件封裝
:SC-88/SC70-6/SOT-363
供應(yīng)商
相近型號
- BC858BWT106
- BC858CW-7-F
- BC858BWH6327XTSA1
- BC858CWH6327
- BC858BW-7-F
- BC858W
- BC858BW
- BC858W,115
- BC858BT116
- BC859AMTF
- BC858BLT3G
- BC859B
- BC858BLT1G
- BC859B,215
- BC858BHZGT116
- BC859B-AU
- BC858BE6327HTSA1
- BC859BE6327
- BC858BE6327
- BC859BMTF
- BC858B-7-F
- BC859BW
- BC858B-7
- BC859BW,115
- BC858B,215
- BC859C
- BC858B
- BC859C,215
- BC858AMTF
- BC859C-AU
- BC858ALT1G
- BC859CE6327
- BC858ALT1
- BC859CLT1G
- BC858AE6327
- BC859CW
- BC858A
- BC859CWE6327
- BC858
- BC857W,115
- BC860AMTF
- BC857W
- BC860B
- BC857T/115
- BC860B,215
- BC857T,115
- BC860BE6327
- BC857T
- BC860BMTF
- BC857SH6327XTSA1