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BC847ALT1G

General Purpose Transistors

GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating?HumanBodyModel:>4000V ESDRating?MachineModel:>400V ?SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101 Q

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BC847ALT3G

General Purpose Transistors

GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating?HumanBodyModel:>4000V ESDRating?MachineModel:>400V ?SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101 Q

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BC847ALT3G

General Purpose Transistors

GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating?HumanBodyModel:>4000V ESDRating?MachineModel:>400V ?SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101 Q

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BC847AM

絲印：D4；Package：SC-101；45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors

Featuresandbenefits ?General-purposetransistors ?SMDplasticpackages ?Threedifferentgainselections ?AEC-Q101qualified

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BC847AM

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/d4/marking.html">D4；Package：SOT-883；45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors

DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplements:BC856,BC857andBC858. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

BC847AMB

絲印：01000001；Package：SOT883B；45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors

Featuresandbenefits ?LeadlessultrasmallSMDplastic package ?PowerdissipationcomparabletoSOT23 ?Lowpackageheightof0.37mm ?AEC-Q101qualified

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BC847AMB

45 V, 100 mA PNP general-purpose transistors

Featuresandbenefits ?LeadlessultrasmallSMDplastic package ?PowerdissipationcomparabletoSOT23 ?Lowpackageheightof0.37mm ?AEC-Q101qualified

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BC847AMTF

絲印：8BA；Package：SOT-23；NPN Epitaxial Silicon Transistor

Features ?SwitchingandAmplifierApplications ?Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits ?LowNoise:BC849,BC850 ?ComplementtoBC856...BC860

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

BC847A-Q

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/1e/marking.html">1E；Package：SOT23；45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors

Featuresandbenefits ?General-purposetransistors ?SMDplasticpackages ?Threedifferentgainselections ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BC847AQA

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/001001/marking.html">001001；Package：DFN1010D-3；45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors

Featuresandbenefits ?General-purposetransistors ?Threecurrentgainselections ?Lowpackageheightof0.37mm ?SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint ?AEC-Q101qualified

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BC847A

  • 制造商：

    Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    500mV @ 5mA，100mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    110 @ 2mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23

  • 描述：

    TRANS NPN 45V 0.1A SOT23

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多BC847A供應(yīng)商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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