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BC847A-G

Small Signal Transistor

Features -PowerdissipationPCM:0.20W(@TA=25°C) -CollectorcurrentICM:0.1A -Collector-basevoltageVCBO:BC846=80VBC847=50VBC848=30V -Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:TJ,TSTG=-65to+150°C

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

BC847AL

GENERAL PURPOSE TRANSISTORS NPN SILICON

DESCRIPTION The BC846AL/BLA847848AL/CLare availableinSOT23package. FEATURES ?Highcurrentgain ?ExcellenthFElinearity ?Lownoisebetween30Hzand15kHz ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?AvailableinSOT23package APPLICATIONS ?Ge

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技

BC847ALT1

CASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB)

GeneralPurposeTransistors NPNSilicon

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

BC847ALT1

General Purpose Transistors(NPN Silicon)

GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features ?Pb?FreePackagesareAvailable ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating ?HumanBodyModel:>4000V ?MachineModel:>400V

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BC847ALT1

General Purpose Transistors(NPN Silicon)

GeneralPurposeTransistors NPNSilicon

LRCLeshan Radio Company

樂山無線電樂山無線電股份有限公司

BC847ALT1G

General Purpose Transistors(NPN Silicon)

GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features ?Pb?FreePackagesareAvailable ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating ?HumanBodyModel:>4000V ?MachineModel:>400V

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BC847ALT1G

General Purpose Transistors

GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating?HumanBodyModel:>4000V ESDRating?MachineModel:>400V ?SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101 Q

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BC847ALT1G

General Purpose Transistors

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ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BC847ALT3G

General Purpose Transistors

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BC847A

  • 制造商：

    Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    500mV @ 5mA，100mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    110 @ 2mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23

  • 描述：

    TRANS NPN 45V 0.1A SOT23

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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