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BAS116LP3-7

ULTRA-SMALL SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

Features ?Ultra-SmallLeadlessSurfaceMountPackage(0.6x0.3mm) ?Ultra-LowProfilePackage(0.3mm) ?VeryLowLeakageCurrent ?LowCapacitance ?IdealforCompactBatteryPoweredPortableElectronics ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimo

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

BAS116LPH4

SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE

Features ?FastSwitchingSpeed ?Ultra-SmallLeadlessSurfaceMountPackage(1.0*0.6mm) ?Ultra-LowProfilePackage(0.4mm) ?LowForwardVoltage ?FastReverseRecovery ?LowCapacitance ?LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) ?GreenDevice(Note2)

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

BAS116LPH4-7B

SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE

Features ?FastSwitchingSpeed ?Ultra-SmallLeadlessSurfaceMountPackage(1.0*0.6mm) ?Ultra-LowProfilePackage(0.4mm) ?LowForwardVoltage ?FastReverseRecovery ?LowCapacitance ?LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) ?GreenDevice(Note2)

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

BAS116LS

Marking：9C；Package：DFN1006BD-2；Low-leakage diode

1.Generaldescription Low-leakagediodeinanultrasmallDFN1006BD-2(SOD882BD)leadlessSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. 2.Featuresandbenefits ?Switchingtime:max.trr=3μs ?Lowleakagecurrent:max.IR=5nA ?Repetitivepeakreversevolt

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

BAS116LS-Q

Marking：9C；Package：DFN1006BD-2；Low-leakage diode

1.Generaldescription Low-leakagediodeinanultrasmallDFN1006BD-2(SOD882BD)leadlessSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. 2.Featuresandbenefits ?Switchingtime:max.trr=3μs ?Lowleakagecurrent:max.IR=5nA ?Repetitivepeakreversevolt

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

BAS116LT1

Switching Diode

Thisswitchingdiodehasthefollowingfeatures: ?LowLeakageCurrentApplications ?MediumSpeedSwitchingTimes ?Availablein8mmTapeandReel UseBAS116LT1toorderthe7inch/3,000unitreel UseBAS116LT3toorderthe13inch/10,000unitreel

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

BAS116LT1

Switching Diode

Thisswitchingdiodehasthefollowingfeatures: ?LowLeakageCurrentApplications ?MediumSpeedSwitchingTimes ?Availablein8mmTapeandReel UseBAS116LT1toorderthe7inch/3,000unitreel UseBAS116LT3toorderthe13inch/10,000unitreel

LRCLeshan Radio Company

樂山無線電樂山無線電股份有限公司

BAS116LT1

Switching Diode

Features ?LowLeakageCurrentApplications ?MediumSpeedSwitchingTimes ?Availablein8mmTapeandReel UseBAS116LT1Gtoorderthe7inch/3,000unitreel ?SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101 Q

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

BAS116LT1

SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE

SURFACEMOUNTSWITCHINGDIODE ?LowLeakageCurrentApplications ?MediumSpeedSwitchingTimes

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳深圳市永而佳實業(yè)有限公司

BAS116LT1D

Switching Diode

Features ?LowLeakageCurrentApplications ?MediumSpeedSwitchingTimes ?Availablein8mmTapeandReel UseBAS116LT1Gtoorderthe7inch/3,000unitreel ?SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101 Q

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

產品屬性

  • 產品編號：

    BAS116

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 類別：

    分立半導體產品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 二極管類型：

    標準

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    215mA

  • 速度：

    標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）

  • 不同?Vr、F 時電容：

    2pF @ 0V，1MHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 工作溫度 - 結：

    -65°C ~ 150°C

  • 描述：

    DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Nexperia(安世)
/
SOT-23
6666
原裝
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NEXPERIA/安世
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SOT-23
600000
NEXPERIA/安世全新特價BAS116即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有排單訂
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專注原裝正品現(xiàn)貨特價中量大可定
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SOT23
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原盒原包裝 可BOM配套
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SOT-23
120000
原裝正品 可含稅交易
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PANJIT/強茂
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全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術支持、樣品免費!
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SOT-23
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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SOT-23
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更多BAS116供應商 更新時間2025-5-7 10:58:00

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