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BAS116-AU_TY_10001

SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES

VOLTAGE100VoltsPOWER250mWatts FEATURES ?Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. ?Verylowleakagecurrent.2pAtypicalatVR=75V. ?Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz ?Acqirequalitysystemcertificate:TS16949 ?AEC-Q101qualified ?Leadfreeincomplyw

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

BAS116DY

Marking：2H；Package：TSSOP6；Low-leakage dual switching diode

1.Generaldescription Epitaxial,medium-speedswitching,electricallyisolateddualdiodeinanultrasmallSOT363 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Lowleakagecurrent:maximum5nA ?Switchingtime:typical0.8μs ?Continuousreversevoltage:maxi

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BAS116DY-Q

Marking：2H；Package：TSSOP6；Low-leakage dual switching diode

1.Generaldescription Epitaxial,medium-speedswitching,electricallyisolateddualdiodeinanultrasmallSOT363 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Lowleakagecurrent:maximum5nA ?Switchingtime:typical0.8μs ?Continuousreversevoltage:maxi

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BAS116GW-Q

Marking：GB；Package：SOD123；Low leakage switching diode

1.Generaldescription Lowleakageswitchingdiode,encapsulatedinanSOD123smallSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Highswitchingspeed:trr=0.8μs ?Lowleakagecurrent:IR=3pA ?RepetitivepeakreversevoltageVRRM≤85V ?Lowcapacitance:

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BAS116H

75 V, low leakage diode in small SOD123F package

Generaldescription Lowleakageswitchingdiode,encapsulatedinaSOD123FsmallSMDplasticpackage. Features ■SmallandflatleadSMDplasticpackage ■Lowleakagecurrent Applications ■General-purposeswitching

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BAS116H

Marking：B1；Package：SOD123F；Low leakage switching diode

1.1Generaldescription Lowleakageswitchingdiode,encapsulatedinaSOD123Fsmallandflatlead Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 1.2Featuresandbenefits ?SmallandflatleadSMDplasticpackage ?Lowleakagecurrent ?Excellentcoplanarityandimprovedthermalbehavior

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BAS116HY

Marking：D8U；Package：SOT-23；Switching Diode (Low leakage)

Features Highreliability Smallmoldtype LowIR Application Generalswitching Structure Epitaxialplanar

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

BAS116HYFH

Marking：D8U；Package：SOT-23；Switching Diode (Low leakage)

Features Highreliability Smallmoldtype LowIR Application Generalswitching Structure Epitaxialplanar

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

BAS116L

Switching Diode

Features ?LowLeakageCurrentApplications ?MediumSpeedSwitchingTimes ?Availablein8mmTapeandReel UseBAS116LT1Gtoorderthe7inch/3,000unitreel ?SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101 Q

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BAS116LP3

ULTRA-SMALL SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

Features ?Ultra-SmallLeadlessSurfaceMountPackage(0.6x0.3mm) ?Ultra-LowProfilePackage(0.3mm) ?VeryLowLeakageCurrent ?LowCapacitance ?IdealforCompactBatteryPoweredPortableElectronics ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimo

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BAS116

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 二極管類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    215mA

  • 速度：

    標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）

  • 不同?Vr、F 時電容：

    2pF @ 0V，1MHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -65°C ~ 150°C

  • 描述：

    DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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