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B1D02065E | Marking：B1D02065E；Package：TO-252-2；SiC Schottky Diode Features ?Extremelylowreversecurrent ?Noreverserecoverycurrent ?Temperatureindependentswitching ?PositivetemperaturecoefficientonVF ?Excellentsurgecurrentcapability ?Lowcapacitivecharge Benefits ?Essentiallynoswitchinglosses ?Systemefficiencyimprovementover | BASICSEMISHENZHEN BASIC SEMICONDUCTOR 基本半導(dǎo)體深圳基本半導(dǎo)體有限公司 | BASICSEMI |
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