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Marking：AS10MM1；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；CoolSiC? 1200 V SiC Trench MOSFET Features ?VDSS=1200VatTvj=-55...175°C ?IDDC=205AatTC=25°C ?RDS(on)=8.7mΩatVGS=20V,Tvj=25°C ?Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM ?Bestinclassswitchingenergyforlowerswitchinglossesandreducedcoolingefforts ?Lowe | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
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