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APT80GA60LD40分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
APT80GA60LD40 |
| 參數(shù)屬性 | APT80GA60LD40 封裝/外殼為TO-264-3，TO-264AA；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 143A 625W TO264 |
| 功能描述 | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs |
| 封裝外殼 | TO-264-3，TO-264AA |
| 文件大小 |
2.83333 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
44 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | MICROSEMI |
| 中文名稱 | 美高森美 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-18 11:15:00 |
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APT80GA60LD40規(guī)格書詳情
POWER MOS 7? MOSFET
Power MOS 7? is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7? by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7? combines lower conduction and switching losses along with exceptionally fast switching speeds inherent with APTs patented metal gate structure.
? Lower Input Capacitance
? Increased Power Dissipation
? Lower Miller Capacitance
? Easier To Drive
? Lower Gate Charge, Qg
? TO-247 or Surface Mount D3PAK Package
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
APT80GA60LD40
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
POWER MOS 8?
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
PT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，47A
- 開關(guān)能量：
840μJ（開），751μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
23ns/158ns
- 測(cè)試條件：
400V，47A，4.7 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-264-3，TO-264AA
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-264
- 描述：
IGBT 600V 143A 625W TO264
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
25+ |
TO-247 |
46 |
原裝正品,歡迎來電咨詢! |
詢價(jià) | ||
Microch |
20+ |
NA |
33560 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
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APTMICROSEMI |
23+ |
D3S |
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詢價(jià) | ||
24+ |
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46000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
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23+ |
TO-264L |
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MICROSEMI |
638 |
原裝正品 |
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Microsemi Corporation |
22+ |
TO264 |
9000 |
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1942+ |
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25+ |
TO-264-3 TO-264AA |
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詢價(jià) |
