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APT80GA60B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
APT80GA60B |
參數(shù)屬性 | APT80GA60B 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 143A 625W TO247 |
功能描述 | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
2.83333 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
44 頁 |
生產(chǎn)廠商 | MICROSEMI |
中文名稱 | 美高森美 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-20 11:36:00 |
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APT80GA60B規(guī)格書詳情
POWER MOS 7? MOSFET
Power MOS 7? is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7? by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7? combines lower conduction and switching losses along with exceptionally fast switching speeds inherent with APTs patented metal gate structure.
? Lower Input Capacitance
? Increased Power Dissipation
? Lower Miller Capacitance
? Easier To Drive
? Lower Gate Charge, Qg
? TO-247 or Surface Mount D3PAK Package
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
APT80GA60B
- 制造商:
Microchip Technology
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
PT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,47A
- 開關(guān)能量:
840μJ(開),751μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
23ns/158ns
- 測試條件:
400V,47A,4.7 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247 [B]
- 描述:
IGBT 600V 143A 625W TO247
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Microch |
20+ |
NA |
33560 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
APT |
25+ |
TO-247 |
57 |
原裝正品,歡迎來電咨詢! |
詢價 | ||
APTMICROSEMI |
23+ |
D3S |
21368 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道??商峁┐罅繋齑?詳 |
詢價 | ||
24+ |
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詢價 | |||
APT |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
APTMICROSEMI |
23+ |
TO-247B |
8400 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Microsemi Corporation |
22+ |
TO247 [B] |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
98 |
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詢價 | ||
MICROSEMI |
638 |
原裝正品 |
詢價 | ||||
Microsemi Corporation |
2022+ |
TO-247 [B] |
38550 |
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