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APT10M19BVR中文資料ADPOW數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
APT10M19BVR |
| 功能描述 | Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| 文件大小 |
67.26 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ADPOW |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-11 16:50:00 |
| 人工找貨 | APT10M19BVR價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
APT10M19BVR規(guī)格書詳情
Power MOS V? is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V? also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.
? Faster Switching
? Lower Leakage
? 100 Avalanche Tested
? Popular TO-247 Package
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
APT10M19BVR
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 功能描述：
POWER MOSFET, TO247, 100V, 75A, .019 OHM - Bulk
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROCHIP |
21+ |
NA |
2218 |
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詢價(jià) | ||
APT |
22+ |
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8000 |
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APT |
25+ |
TO-3P |
19 |
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APT |
24+ |
8866 |
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