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APT10M19BVFR中文資料ADPOW數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

APT10M19BVFR
廠商型號(hào)

APT10M19BVFR

功能描述

Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

文件大小

74.1 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

ADPOW

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-11 18:15:00

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APT10M19BVFR規(guī)格書詳情

Power MOS V? is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V? also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

? Faster Switching

? Lower Leakage

? TO-247 or Surface Mount D3PAK Package

? Avalanche Energy Rated

? FAST RECOVERY BODY DIODE

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    APT10M19BVFR

  • 制造商:

    ADPOW

  • 制造商全稱:

    Advanced Power Technology

  • 功能描述:

    Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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