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APT1001RBVR
廠商型號

APT1001RBVR

功能描述

Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

文件大小

68.19 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

ADPOW

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更新時間

2025-8-8 21:04:00

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APT1001RBVR規(guī)格書詳情

Power MOS V? is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V? also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

? Faster Switching

? Lower Leakage

? 100 Avalanche Tested

? Popular TO-247 Package

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    APT1001RBVR

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 1000V 11A TO-247

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    POWER MOS V®

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
MICROSEMI
三年內
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