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APT1001RBLC中文資料ADPOW數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
APT1001RBLC |
| 功能描述 | Power MOS VI is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs |
| 文件大小 |
35.76 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ADPOW |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-2 11:27:00 |
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APT1001RBLC規(guī)格書詳情
Power MOS VI? is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Lower gate charge is achieved by optimizing the manufacturing process to minimize Ciss and Crss. Lower gate charge coupled with Power MOS VITM optimized gate layout, delivers exceptionally fast switching speeds.
? Identical Specifications: TO-247 or Surface Mount D3PAK Package
? Lower Gate Charge & Capacitance
? Easier To Drive
? Faster switching
? 100 Avalanche Tested
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
APT1001RBLC
- 制造商：
ADPOW
- 制造商全稱：
Advanced Power Technology
- 功能描述：
Power MOS VI is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
23+ |
NA |
1200 |
全新原裝假一賠十 |
詢價(jià) | ||
APTMICROSEMI |
23+ |
TO-247B |
27682 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道。可提供大量庫(kù)存,詳 |
詢價(jià) | ||
MICROSEMI |
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | |||
MICROCHIP |
23+ |
7300 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | |||
APT |
25+ |
TO-247 |
2258 |
原裝優(yōu)勢(shì)!絕對(duì)公司現(xiàn)貨! |
詢價(jià) | ||
APT |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
APT |
24+ |
8866 |
詢價(jià) | ||||
Microsemi Corporation |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
APT |
25+ |
TO-3 |
3000 |
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷售! |
詢價(jià) | ||
APT |
23+ |
2800 |
正品原裝貨價(jià)格低 |
詢價(jià) |
